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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 2.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 125 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 380 ns | 最大开启时间（吨）： | 225 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK108-11-C | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK108-11-D | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK108-11-E | MITSUBISHI |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.02A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction |
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| 2SK1082 | FUJI |
获取价格 |
N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK1082-01 | FUJI |
获取价格 |
N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK1083 | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1083M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK1083MR | ETC |
获取价格 |
LOGIC LEVEL MOSFET |
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| 2SK1083-MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1084 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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