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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 150 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.9 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1085-M | FUJI | N-channel MOS-FET |
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| 2SK1085MR | FUJI | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1085-MR | ETC |
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| 2SK1086 | FUJI | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK1086M | ETC | MOSFETs |
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| 2SK1086MR | FUJI | Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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