是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-609代码: | e0 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 80 W |
子类别: | FET General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1092 | HITACHI | RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Gallium Ars |
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2SK1093 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK1094 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK1095 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK1096 | ETC | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 13A I(D) | TO-220VAR |
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2SK1096M | ETC | MOSFETs |
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