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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220F15 |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.65 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 35 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1101MR | ETC |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1102 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1102-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
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| 2SK1102-01M | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1102-01MR | ETC |
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| 2SK1103 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Junction FET |
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| 2SK1103O | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236 |
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| 2SK1103P | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 600UA I(DSS) | TO-236 |
|
| 2SK1103Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 1MA I(DSS) | TO-236 |
|
| 2SK1103R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.5MA I(DSS) | TO-236 |
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