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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE, AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 13 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 13 A | 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 52 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1097 | ETC |
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MOSFETs |
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| 2SK1098 | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1098-M | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
|
| 2SK1098MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1098-MR | ETC |
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|
| 2SK1099 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK11 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6.5MA I(DSS) | TO-17 |
|
| 2SK1101 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK1101-01M | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1101-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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