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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1101 | ETC |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1101-01M | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1101-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1101MR | ETC |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1102 | ETC |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1102-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
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| 2SK1102-01M | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1102-01MR | ETC |
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| 2SK1103 | PANASONIC |
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Silicon N-Channel Junction FET |
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| 2SK1103O | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 200UA I(DSS) | TO-236 |
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