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2SK1102-01M

更新时间: 2024-11-26 21:11:19
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
1页 90K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

2SK1102-01M 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
配置:Single最大漏极电流 (Abs) (ID):10 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):50 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NOBase Number Matches:1

2SK1102-01M 数据手册

  
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