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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1098-M | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1098MR | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 150V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1098-MR | ETC |
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| 2SK1099 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK11 | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 6.5MA I(DSS) | TO-17 |
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| 2SK1101 | ETC |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1101-01M | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 450V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1101-01MR | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1101MR | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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| 2SK1102 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
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