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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.77 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 125 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1082-01 | FUJI |
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N-Channel Silicon Power MOS-FET |
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| 2SK1083 | FUJI |
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N-channel MOS-FET |
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| 2SK1083M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK1083MR | ETC |
获取价格 |
LOGIC LEVEL MOSFET |
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| 2SK1083-MR | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1084 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK1085 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
|
| 2SK1085-M | FUJI |
获取价格 |
N-channel MOS-FET |
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| 2SK1085MR | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 150V, 1.17ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SK1085-MR | ETC |
获取价格 |
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