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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1082

2SK1082 PDF预览

2SK1082

更新时间： 2024-02-19 12:19:47

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	1250K
描述
N-Channel Silicon Power MOS-FET

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2SK1082 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	125 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

2SK1082 数据手册

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1082-01	FUJI	N-Channel Silicon Power MOS-FET	获取价格
2SK1083	FUJI	N-channel MOS-FET	获取价格
2SK1083M	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB	获取价格
2SK1083MR	ETC	LOGIC LEVEL MOSFET	获取价格
2SK1083-MR	FUJI	N-channel MOS-FET	获取价格
2SK1084	FUJI	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,	获取价格

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