2SJ451ZK

更新时间： 2024-11-18 13:04:27

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管开关光电二极管
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7页	110K
描述
0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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2SJ451ZK 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	9 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ451ZK 数据手册

2SJ451

Silicon P Channel MOS FET

REJ03G0864-0400

Rev.4.00

Sep 07, 2007

Description

Low frequency power switching

Features

•

Low on-resistance.

Low drive power

2.5 V gate drive device.

Small package (MPAK).

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Source

2. Gate

3. Drain

Note: Marking is “ZK–”.

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Drain to source voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Value

–20

Unit

±20

–0.2

Note 1

Drain peak current

I_{D (pulse)}

–0.4

Channel dissipation

Pch

Tch

Tstg

150

°C

Channel temperature

Storage temperature

150

–55 to +150

Note: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%

REJ03G864-0400 Rev.4.00 Sep 07, 2007

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ451ZK-01	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ451ZK-TL	RENESAS	获取价格	0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SJ451ZK-TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ451ZK-TL-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ451ZK-TR	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
2SJ451ZK-TR-E	RENESAS	获取价格	Silicon P Channel MOS FET
2SJ451ZK-UL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-
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