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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.28 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.2 A | 最大漏源导通电阻： | 9 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ451ZK-TL | RENESAS | 0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SJ451ZK-TL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ451ZK-TL-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ451ZK-TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SJ451ZK-TR-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ451ZK-UL | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
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