5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ451 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ451 | TYSEMI |
获取价格 |
Low frequency power switching |
|
| 2SJ451 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
|
| 2SJ451ZK | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SJ451ZK | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SJ451ZK-01 | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SJ451ZK-TL | RENESAS |
获取价格 |
0.2A, 20V, 9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SJ451ZK-TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SJ451ZK-TL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ451ZK-TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal- |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
