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2SJ440

更新时间: 2024-11-17 22:35:55
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东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管放大器局域网
页数 文件大小 规格书
3页 119K
描述
TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE

2SJ440 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:LEAD FREE, 2-16F1B, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:180 V
最大漏极电流 (ID):9 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SJ440 数据手册

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