5秒后页面跳转
2SJ450UY PDF预览

2SJ450UY

更新时间: 2024-02-09 02:44:15
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 1.9ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

2SJ450UY 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.32配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:1.9 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:FLAT端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SJ450UY 数据手册

  

与2SJ450UY相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ450UYTL HITACHI 1A, 60V, 1.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

获取价格

2SJ450UYTR HITACHI 1A, 60V, 1.9ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

获取价格

2SJ450UYUL HITACHI 暂无描述

获取价格

2SJ450UYUR HITACHI 1 A, 60 V, 1.9 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

获取价格

2SJ451 RENESAS Silicon P Channel MOS FET

获取价格

2SJ451 TYSEMI Low frequency power switching

获取价格