5秒后页面跳转
2SJ312SMTE24L PDF预览

2SJ312SMTE24L

更新时间: 2024-02-24 21:43:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 73K
描述
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.12 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220SM, TO-220SM, 3 PIN, FET General Purpose Power

2SJ312SMTE24L 技术参数

生命周期:End Of Life零件包装代码:TO-220SM
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.67Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):14 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:P-CHANNEL
功耗环境最大值:40 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SJ312SMTE24L 数据手册

  

与2SJ312SMTE24L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ312TE24L TOSHIBA TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.19 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

获取价格

2SJ312TE24R TOSHIBA TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.19 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

获取价格

2SJ313 TOSHIBA P CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION)

获取价格

2SJ313_07 TOSHIBA Audio Frequency Power Amplifier Application

获取价格

2SJ313_09 TOSHIBA Audio Frequency Power Amplifier Application

获取价格

2SJ313O TOSHIBA TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN

获取价格