5秒后页面跳转
| 生命周期： | End Of Life | 零件包装代码： | TO-220SM |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ312TE24L | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.19 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SJ312TE24R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.19 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SJ313 | TOSHIBA |
获取价格 |
P CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
|
| 2SJ313_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier Application |
|
| 2SJ313_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier Application |
|
| 2SJ313O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
|
| 2SJ313-O | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SJ313-O(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-220AB |
|
| 2SJ313Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
|
| 2SJ313-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
