5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ312TE24R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 14 A, 60 V, 0.19 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
|
| 2SJ313 | TOSHIBA |
获取价格 |
P CHANNEL MOS TYPE (AUDIO FREQUENCY POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
|
| 2SJ313_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier Application |
|
| 2SJ313_09 | TOSHIBA |
获取价格 |
Audio Frequency Power Amplifier Application |
|
| 2SJ313O | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
|
| 2SJ313-O | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SJ313-O(Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-220AB |
|
| 2SJ313Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN |
|
| 2SJ313-Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET |
|
| 2SJ313-Y(F) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-220AB |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
