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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-59 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.76 | 其他特性： | HIGH INPUT IMPEDANCE |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 50 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.1 A | 最大漏源导通电阻： | 50 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ166-T2B | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SJ166-T2B | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SOT-346 |
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| 2SJ167 | TOSHIBA |
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P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ167_07 | TOSHIBA |
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Silicon P Channel MOS Type |
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| 2SJ168 | TOSHIBA |
获取价格 |
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHING, ANALOG SWITCH, INTERFACE APPLICATIONS) |
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| 2SJ168(T5L,PP,F) | TOSHIBA |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| 2SJ168(T5LMAA,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SJ168(TE85L) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,60V V(BR)DSS,200MA I(D),SC-59 |
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| 2SJ168(TE85L,F) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 200 mA, 60 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, LEAD FREE, 2-3F1F, S-MINI, S |
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| 2SJ168_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS Type |
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