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2SD2693Q PDF预览

2SD2693Q

更新时间： 2024-11-03 20:44:27
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 209K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN

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2SD2693Q 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, TO-220D-A1, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：70
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：30 MHzBase Number Matches：1

2SD2693Q 数据手册

 浏览型号2SD2693Q的Datasheet PDF文件第2页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Power Transistors  
2SD2693, 2SD2693A  
Silicon NPN triple diffusion planar type  
Unit: mm  
4.6 0.2  
For power amplification  
9.9 0.3  
2.9 0.2  
Complementary to 2SB1724, 2SB1724A  
■ Features  
• Wide safe oeration area  
φ 3.2 0.1  
• Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE  
• Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
• Full-pack package which can be installed to the heat sink with one scew.  
0.2  
2.6 0.1  
■ Absolute Maximum Ratings TC = 25°C  
0.2  
Parameter  
Collector-base voltage  
(Emitter open)  
Symbol  
Rting  
Unit  
0.8 0.1  
0.55 0.15  
2SD2693  
VCBO  
6
V
2SD2693A  
2.54 0.30  
5.08 0.50  
Collector-emitter voltage 2SD2693  
(Base open) 2SD2693A  
Emitter-base voltage (Collector VEB
VCEO  
0  
V
1
2
3
1: Base  
2: Collector  
3: Emitter  
80  
6
V
A
Collector current  
Peak collector current *  
IC  
ICP  
PC  
TO-220D-A1 Package  
5
Internal Connection  
Collector power dissiation  
W
C
Ta = 25°C  
2.0  
Junction temperatue  
Storage temperaure  
150  
°C  
°C  
B
−55 to +150  
Note) : Nrepetitive peak cllector c
*
E
ElecCharacterisics TC = 25°C 3°C  
Parameer  
Symbol  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
ollector-emitter voltge  
2S2693  
VCEO  
IC = 30 mA, IB = 0  
60  
80  
V
1
(ase op*  
2D2693A  
Coloff  
cun)  
2SD2693A ICBO  
VCB = 80 V, IE 0  
100  
100  
mA  
Collecutoff  
current (Bpen)  
2SD2693  
ICEO  
VCE = 60 V, IB = 0  
VCE = 0 V, IB = 0  
µA  
2SD2693A  
Collector-emitter cutoff  
current (E-B short)  
2SD2693  
ICES  
IEBO  
VCE = 60 V, IB = 0  
100  
µA  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio *  
VEB = 6 V, IC = 0  
VCE = 4 V, IC = 1 A  
VCE = 4 V, IC = 3 A  
1
mA  
1
2
*
hFE1  
hFE2  
70  
10  
250  
1
Collectr-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = 3 A, IB = 0.375 A  
0.8  
V
MHz  
µs  
Transition frequency  
Turn-on time  
Storage time  
Fall time  
fT  
ton  
tstg  
tf  
VCE = 10 V, IC = 0.5 A, f = 10 MHz  
30  
0.1  
2.3  
0.3  
IC = 1 A, Resistance loaded  
IB1 = 0.1 A, IB2 = − 0.1 A  
VCC = 50 V  
µs  
µs  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Rank  
Q
P
hFE1  
70 to 150  
120 to 250  
Publication date: September 2005  
SJD00322BED  
1
12

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