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2SD2705STP

更新时间: 2024-11-03 13:01:47
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罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
5页 145K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, SC-72, 3 PIN

2SD2705STP 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SC-72包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.79Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.3 A集电极-发射极最大电压:20 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):820
JESD-30 代码:O-PBCY-T3JESD-609代码:e1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:TIN SILVER COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:10
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):35 MHzBase Number Matches:1

2SD2705STP 数据手册

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For Muting (20V, 0.3A)  
2SD2704K / 2SD2705S  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High DC current gain.  
hFE = 820 to 2700  
2) High emitter-base voltage.  
VEBO = 25V (Min.)  
3) Low Ron  
2SD2704K  
2.9  
1.1  
0.8  
0.4  
( )  
3
Ron= 0.7(Typ.)  
(
)
( )  
1
2
Structure  
Epitaxial planar type  
NPN silicon transistor  
(1) Emitter  
(2) Base  
(3) Collector  
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
Each lead has same dimensions  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Abbreviated symbol : XL  
2SD2705S  
4.0  
2.0  
Packaging specifications  
0.45  
2.5  
Package  
Code  
Taping  
T146  
TP  
0.45  
0.5  
5.0  
Basic ordering  
3000  
5000  
(1) (2) (3)  
Type  
unit (pieces)  
ROHM : SPT  
EIAJ : SC-72  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
2SD2704K  
2SD2705S  
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
50  
20  
25  
V
V
I
C
0.3  
A
2SD2704K  
0.2  
Collector power  
dissipation  
PC  
W
2SD2705S  
0.3  
Tj  
150  
°C  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tstg  
55 to +150  
www.rohm.com  
2010.01 - Rev.B  
1/4  
c
2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  

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