5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SD2720
2SD2720 PDF预览

2SD2720

更新时间： 2024-09-23 04:26:19
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 晶体晶体管电机驱动
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SD2720 数据手册

 浏览型号2SD2720的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2720的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SD2720的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SD2720的Datasheet PDF文件第5页 
Ordering number : ENA0437A  
SANYO Sem iconductors  
DATA S HEET  
PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
Compact Motor Driver  
Applications  
2SB1739 / 2SD2720  
Features  
•
Low saturation voltage.  
•
Contains diode between collector and emitter.  
•
Contains bias resistance between base and emitter.  
•
Large current capacity.  
Specifications ( ) : 2SB1739  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(--)40  
(--)30  
(--)6  
(--)3  
(--)5  
1
V
V
I
A
C
Collector Current (Pulse)  
I
A
CP  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
15  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
--55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Conditions  
=(--)30V, I =0A  
Unit  
min  
max  
I
V
V
V
V
V
(--)1.0  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
CE  
CB  
E
h
h
1
2
=(--)2V, I =(--)0.5A  
70  
50  
FE  
FE  
C
DC Current Gain  
=(--)2V, I =(--)2A  
C
Gain-Bandwidth Product  
f
T
=(--)2V, I =(--)0.5A  
C
100  
(55)40  
MHz  
pF  
V
Output Capacitance  
Cob  
=(--)10V, f=1MHz  
Collector-to-Emitter Saturation Voltage  
Base-to-Emitterr Saturation Voltage  
Collector-to-Base Breakdown Voltage  
V
V
(sat)  
I
C
I
C
I
C
I
C
I
C
=(--)2A, I =(--)100mA  
(--0.28)0.23 (--0.6)0.5  
(--)1.5  
CE  
B
(sat)  
=(--)2A, I =(--)100mA  
V
BE  
B
V
=(--)10µA, I =0A  
(--)40  
(--)40  
(--)30  
V
(BR)CBO  
E
V
1
=(--)10µA, R =∞  
BE  
V
(BR)CEO  
(BR)CEO  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
V
2
=(--)10mA, R =∞  
BE  
V
Diode Forwad Voltage  
V
I =(--)0.5A  
F
(--)1.5  
0.8  
V
F
Base-to-Emitter Resistance  
R
kΩ  
BE  
Any and all SANYO Semiconductor products described or contained herein do not have specifications  
that can handle applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems,  
aircraft's control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in  
serious physical and/or material damage. Consult with your SANYO Semiconductor representative  
nearest you before usingany SANYO Semiconductor products described or contained herein in such  
applications.  
SANYO Semiconductor assumes no responsibility for equipment failures that result from using products  
at values that exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition  
ranges, or other parameters) listed in products specifications of any and all SANYO Semiconductor  
products described or contained herein.  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
83006 MS IM / 72006EA MS IM TC-00000064  
No. A0437-1/5  
12345

中文翻译

下载PDF

与2SD2720相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD2720(TP-FA) ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR
2SD2721 SANYO

获取价格

 		NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Driver Applications
2SD2767 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB
2SD2873R SWST

获取价格

 		功率三极管
2SD287A NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287AQ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287AR NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287B NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287BQ NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2
2SD287BR NEC

获取价格

 		Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2

与2SD2720相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证