5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 120 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| JEDEC-95代码： | TO-3 | JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 8 MHz | VCEsat-Max： | 2 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD287AR | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287B | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287BQ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287BR | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287BS | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287C | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SD287CQ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287CR | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD288 | CDIL |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
|
| 2SD288 | Wing Shing |
获取价格 |
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
