5秒后页面跳转
2SD287CR PDF预览

2SD287CR

更新时间: 2024-01-01 09:51:03
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 局域网放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 96K
描述
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 Pin,

2SD287CR 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):10 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:NPN
功耗环境最大值:100 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:PIN/PEG
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):8 MHz
VCEsat-Max:2 VBase Number Matches:1

2SD287CR 数据手册

 浏览型号2SD287CR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD287CR的Datasheet PDF文件第3页 

与2SD287CR相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD288 CDIL Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti

获取价格

2SD288 Wing Shing NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER)

获取价格

2SD288 ISC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2SD288 KISEMICONDUCTOR Silicon NPN Power Transistor

获取价格

2SD288 SAVANTIC Silicon NPN Power Transistors

获取价格

2SD288O ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB

获取价格