生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 10 A |
集电极-发射极最大电压: | 150 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 60 | JEDEC-95代码: | TO-3 |
JESD-30 代码: | O-MBFM-P2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | NPN |
功耗环境最大值: | 100 W | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | PIN/PEG |
端子位置: | BOTTOM | 晶体管应用: | AMPLIFIER |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称过渡频率 (fT): | 8 MHz |
VCEsat-Max: | 2 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SD288 | CDIL | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 55V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plasti |
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2SD288 | Wing Shing | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER) |
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2SD288 | ISC | Silicon NPN Power Transistors |
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2SD288 | KISEMICONDUCTOR | Silicon NPN Power Transistor |
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2SD288 | SAVANTIC | Silicon NPN Power Transistors |
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2SD288O | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 55V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
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