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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.51 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.8 A | 集电极-发射极最大电压： | 70 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.25 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2719(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
800mA, 70V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD2720 | SANYO |
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PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Compact Motor Driver Applications |
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| 2SD2720(TP-FA) | ONSEMI |
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TRANSISTOR,BJT,NPN,30V V(BR)CEO,3A I(C),TO-252VAR |
|
| 2SD2721 | SANYO |
获取价格 |
NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Driver Applications |
|
| 2SD2767 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 200V V(BR)CEO | 5A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD2873R | SWST |
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功率三极管 |
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| 2SD287A | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287AQ | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287AR | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
|
| 2SD287B | NEC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-3, Metal, 2 |
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