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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2703TL
2SD2703TL PDF预览

2SD2703TL

更新时间： 2024-11-03 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 89K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, TUMT3, 3 PIN

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2SD2703TL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.69
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：471545Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor BJT NPNSamacsys Package Category：SO Transistor Flat Lead
Samacsys Footprint Name：TUMT3_aSamacsys Released Date：2020-04-26 13:20:19
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：320 MHzBase Number Matches：1

2SD2703TL 数据手册

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2SD2703  
Transistors  
General purpose amplification (30V, 1A)  
2SD2703  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE(sat) ≦ 350mV  
At IC = 500mA / IB = 25mA  
ROHM : TUMT3 Abbreviated symbol : EU  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
zPackaging specifications  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
30  
30  
6
Unit  
V
Package  
Taping  
TL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Type  
Code  
V
Basic ordering unit (pieces)  
3000  
V
2SD2703  
I
C
1
A
Collector current  
∗1  
I
CP  
2
A
0.4  
Power dissipation  
P
C
W
∗2  
0.8  
Junction temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Range of storage temperature Tstg  
−55 to +150  
∗
1Single pulse, P  
∗
W
=1ms  
2Mounted on a 25  
×
25× t0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
30  
30  
6
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
100  
100  
nA  
nA  
V
CB=30V  
I
−
VEB=6V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
120 350 mV  
I
C
/I  
B
=500mA/25mA  
=2V/100mA  
CE=2V, I =−100mA, f=100MHz  
CB=10V, I =0A, f=1MHz  
∗
∗
h
270  
−
−
320  
7
680  
−
−
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
MHz  
pF  
E
Corrector output capacitance  
Cob  
−
−
E
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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