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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD2701TL
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2SD2701TL

更新时间： 2024-09-23 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 90K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT3, 3 PIN

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2SD2701TL 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-F3
JESD-609代码：e2湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.4 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

2SD2701TL 数据手册

 浏览型号2SD2701TL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SD2701TL的Datasheet PDF文件第3页 
2SD2701  
Transistors  
Low frequency amplifier  
2SD2701  
zDimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) ≦ 350mV  
At IC = 1A / IB = 50mA  
ROHM : TUMT3 Abbreviated symbol : FZ  
(1) Base  
(2) Emitter  
(3) Collector  
zPackaging specifications  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
15  
12  
6
Unit  
V
V
Package  
Taping  
TL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Type  
Code  
Basic ordering unit (pieces)  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
3000  
V
2SD2701  
I
C
2
4
A
A∗1  
Collector current  
I
CP  
0.4  
0.8∗2  
P
C
W
Power dissipation  
Junction temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, P  
W
=1ms  
25  
∗2 Mounted on a 25  
×
×
t0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
−
140  
−
300  
11  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
30  
30  
6
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=10µA  
CB=30V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
350  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
I
Emitter cutoff current  
V
I
C
=1A, I =50mA  
B
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
V
V
V
CE=2V, I  
CE=2V, I  
C
=100mA∗  
=−100mA, f=100MHz∗  
f
T
E
Transition frequency  
CB=10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Cob  
−
−
Corrector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.B  
1/2  
123

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2SD2701TL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
US6X4TR ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT6, 6
QSX4TR ROHM

功能相似

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2SD2702 ROHM

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2SD2703 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2703_1 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (30V, 1A)
2SD2703TL ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMP
2SD2704K ROHM

获取价格

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2SD2704K_10 ROHM

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