5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> QSX4TR
QSX4TR PDF预览

QSX4TR

更新时间： 2024-11-03 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

QSX4TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

QSX4TR 数据手册

 浏览型号QSX4TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX4TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX4  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QSX4  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. 370mV  
At lc=1.5A / lB=75mA  
Each lead has same dimensions  
ROHM : TSMT6  
QSX4  
Abbreviated symbol : X04  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emiter-base voltage  
Symbol  
Limits  
30  
30  
6
Unit  
V
V
QSX4  
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
I
C
2
4
0.5  
A
A
W
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
I
CP  
∗2  
P
C
∗3  
(1)  
(2)  
(3)  
1.25  
W
Junction temperature  
Range of storage temperautre  
∗1 Single pluse, Pw=1ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
∗2 Each Terminal Mounted on a Recommended Land Pattern  
∗3 Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm ceramic substrate  
t
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
30  
30  
6
Typ.  
−
−
−
−
−
180  
−
280  
20  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltae  
Collector-emitter breakdown voltae  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
V
C
−
V
E
=10µA  
CB=30V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
370  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=1.5A, I  
CE=2V, I  
CE=2V, I  
B
=75mA  
h
V
V
V
C
=200mA∗  
Transition frequency  
f
T
E
=−200mA, f=100MHz∗  
CB=10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
∗ Pulsed  
Rev.A  
1/2  
123

中文翻译

下载PDF

QSX4TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2701TL ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT3, 3

与QSX4TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QSX5 ROHM

获取价格

 		Low frequency amplifier
QSX5TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
QSX6 ROHM

获取价格

 		Low frequency amplifier
QSX6TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
QSX7 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (12V, 1.5A)
QSX7TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, X07, 6
QSX8 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (30V, 1A)
QSX8TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6
QSZ1 ROHM

获取价格

 		General purpose transistor
QSZ1TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT5, 5

与QSX4TR相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证