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QSX4TR PDF预览

QSX4TR

更新时间： 2024-09-23 12:59:51
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6 PIN

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QSX4TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：280 MHzBase Number Matches：1

QSX4TR 数据手册

 浏览型号QSX4TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX4TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX4  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QSX4  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat) : max. 370mV  
At lc=1.5A / lB=75mA  
Each lead has same dimensions  
ROHM : TSMT6  
QSX4  
Abbreviated symbol : X04  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emiter-base voltage  
Symbol  
Limits  
30  
30  
6
Unit  
V
V
QSX4  
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
I
C
2
4
0.5  
A
A
W
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
I
CP  
∗2  
P
C
∗3  
(1)  
(2)  
(3)  
1.25  
W
Junction temperature  
Range of storage temperautre  
∗1 Single pluse, Pw=1ms  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
∗2 Each Terminal Mounted on a Recommended Land Pattern  
∗3 Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm ceramic substrate  
t
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
Min.  
30  
30  
6
Typ.  
−
−
−
−
−
180  
−
280  
20  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
Collector-base breakdown voltae  
Collector-emitter breakdown voltae  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
V
C
−
V
E
=10µA  
CB=30V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
370  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
Emitter cutoff current  
I
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C
=1.5A, I  
CE=2V, I  
CE=2V, I  
B
=75mA  
h
V
V
V
C
=200mA∗  
Transition frequency  
f
T
E
=−200mA, f=100MHz∗  
CB=10V, I  
E
=0A, f=1MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
∗ Pulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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QSX4TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2701TL ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT3, 3

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