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QSX5TR PDF预览

QSX5TR

更新时间： 2024-11-03 21:14:35
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 56K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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QSX5TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.8
最大集电极电流 (IC)：2 A集电极-发射极最大电压：12 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：270
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：360 MHzBase Number Matches：1

QSX5TR 数据手册

 浏览型号QSX5TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX5TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX5  
QSX5  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QSX5  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1)  
A collector current is large.  
<
=
2) CE(sat)  
180mV  
V
C
B
At I = 1A / I = 50mA  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : X05  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
zEquivalent circuit  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
15  
12  
6
Unit  
V
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
V
I
C
2
4
A
A
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
I
CP  
500  
1.25  
mW ∗2  
W
P
C
∗3  
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
°C  
°C  
Range of storage temperature  
∗1 Single pulse, P  
W
=1ms  
∗2Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
∗3Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
−
−
−
−
90  
−
360  
20  
Max.  
−
−
Unit  
Conditions  
15  
12  
6
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
C
−
V
E
=10µA  
CB=15V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
180  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
I
Emitter cutoff current  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
I
C=1A, I  
B
=50mA  
h
V
V
V
CE=2V, I  
CE=2V, I  
C
=200mA∗  
f
T
E
=−200mA, f=100MHz∗  
Transition frequency  
CB=10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Cob  
−
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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QSX5TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2700TL ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TUMT3, 3
2SD2653TL ROHM

功能相似

 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TSMT3, 3

与QSX5TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
QSX6 ROHM

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 		Low frequency amplifier
QSX6TR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
QSX7 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (12V, 1.5A)
QSX7TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, X07, 6
QSX8 ROHM

获取价格

 		General purpose amplification (30V, 1A)
QSX8TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6
QSZ1 ROHM

获取价格

 		General purpose transistor
QSZ1TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT5, 5
QSZ2 ROHM

获取价格

 		General purpose transistor
QSZ2TR ROHM

获取价格

 		暂无描述

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