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QSZ1TR

更新时间： 2024-11-21 19:54:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	77K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT5, 5 PIN

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QSZ1TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：	5	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	12 V
配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	270
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	360 MHz
Base Number Matches：	1

QSZ1TR 数据手册

QSZ1

Transistors

General purpose transistor

QSZ1

A 2SB1690 and a 2SD2653 are housed independently in a TSMT5 package.

zExternal dimensions (Unit : mm)

zApplications

DC / DC converter

Motor driver

QSZ1

2.8

1.6

zFeatures

1) Low V^CE(sat)

2) Small package

0.3∼0.6

ROHM : TSMT5

Each lead has same dimensions

zStructure

Silicon epitaxial planar transistor

Abbreviated symbol : Z01

zEquivalent circuit

(5)

(4)

Tr1

Tr2

(1)

(2)

(3)

zPackaging specifications

Type

Package

QSZ1

TSMT5

Z01

Marking

Code

Basic ordering unit(pieces)

3000

1/4

12 3 4 5

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