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QSX6TR PDF预览

QSX6TR

更新时间： 2024-11-04 13:12:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 放大器
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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QSX6TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.77最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN SILVER COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

QSX6TR 数据手册

 浏览型号QSX6TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX6TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX6  
Transistors  
Low frequency amplifier  
QSX6  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
Driver  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) A collector current is large.  
2) VCE(sat)  
350mV  
At IC = 1A / IB = 50mA  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : X06  
zEquivalent circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Symbol  
Limits  
30  
30  
6
1.5  
Unit  
V
V
V
A
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
I
C
Collector current  
Power dissipation  
∗1  
∗2  
∗3  
I
CP  
3
A
500  
1.25  
150  
−55 to +150  
mW  
W
°C  
°C  
P
C
(1)  
(2)  
(3)  
Junction temperature  
Tj  
Tstg  
Range of storage temperature  
Single pulse, P =1ms  
Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate  
W
∗1  
∗2  
∗3  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
Max.  
−
−
Unit  
V
Conditions  
30  
30  
6
−
−
−
−
−
140  
−
300  
11  
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
V
C
−
V
E
=10µA  
CB=30V  
EB=6V  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
−
−
270  
−
100  
100  
350  
680  
−
nA  
nA  
mV  
−
MHz  
pF  
V
V
I
Emitter cutoff current  
V
I
C=1A, I  
B
=50mA  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
h
V
V
V
CE=2V, I  
CE=2V, I  
C
=100mA∗  
f
T
E
=−100mA, f=100MHz∗  
Transition frequency  
CB=10V, I  
E=0A, f=1MHz  
Cob  
−
−
Collector output capacitance  
∗ Pulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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QSX6TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SD2657KT146 ROHM

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 		General purpose amplification (30V, 1A)
QSX8TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6
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 		General purpose transistor
QSZ1TR ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT5, 5
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