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QSX8TR

更新时间： 2024-09-23 13:01:43
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
3页 70K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TSMT6, 6 PIN

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QSX8TR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SC-95
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：13 weeks风险等级：1.74
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：30 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：270JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e1湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：320 MHzBase Number Matches：1

QSX8TR 数据手册

 浏览型号QSX8TR的Datasheet PDF文件第2页浏览型号QSX8TR的Datasheet PDF文件第3页 
QSX8  
Transistors  
General purpose amplification (30V, 1A)  
QSX8  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zApplication  
Low frequency amplifier  
2.8  
1.6  
zFeatures  
1) Collector current is large.  
2) Collector saturation voltage is low.  
VCE (sat)  
350mV  
at Ic= 500mA / IB= 25mA  
ROHM : TSMT6  
Each lead has same dimensions  
Abbreviated symbol : X08  
zEquivalent Circuit  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
Unit  
V
(6)  
(5)  
(4)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
30  
30  
6
V
V
I
C
1
A
Collector current  
∗
1
I
CP  
2
A
∗2  
∗3  
∗3  
500  
1.25  
mW/TOTAL  
W/TOTAL  
W/ELEMENT  
°C  
(1)  
(2)  
(3)  
Power dissipation  
PC  
0.9  
Junction temperature  
Tj  
150  
Range of storage temperature Tstg  
−55 to +150  
°C  
Single pulse, P  
W
=1ms  
∗
∗
∗
1
2
3
Each Terminal Mounted on a Recommended  
t
Mounted on a 25mm×25mm× 0.8mm Ceramic substrate  
zElectrical characteristics (Ta=25°C)  
Parameter  
Symbol Min. Typ. Max. Unit  
Conditions  
Collector-base breakdown voltage  
BVCBO  
30  
30  
6
−
−
−
−
−
−
−
V
V
I
I
I
C
=10µA  
=1mA  
Collector-emitter breakdown voltage BVCEO  
C
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Emitter cutoff current  
BVEBO  
−
V
E
=10µA  
I
CBO  
EBO  
CE(sat)  
FE  
−
100  
100  
nA  
nA  
V
CB=30V  
I
−
VEB=6V  
Collector-emitter saturation voltage  
DC current gain  
V
−
120 350 mV  
I
C
/I  
B
=500mA/25mA  
=2V/100mA  
CE=2V, I =−100mA, f=100MHz  
CB=10V, I =0A, f=1MHz  
∗
∗
h
270  
−
−
320  
7
680  
−
−
V
V
V
CE/IC  
Transition frequency  
f
T
MHz  
pF  
E
Collector output capacitance  
Cob  
−
−
E
∗ Pulsed  
Rev.A  
1/2  
123

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