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2SD1996

更新时间： 2024-10-13 22:52:47

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松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	46K
描述
Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)

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2SD1996 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	20 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

2SD1996 数据手册

Transistor

2SD1996

Silicon NPN epitaxial planer type

Unit: mm

For low-voltage output amplification

For muting

6.9±0.1

4.0

2.5±0.1

1.05

±0.05

(1.45)

0.8

0.7

For DC-DC converter

Features

■

0.65 max.

●

Low collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

●

Low ON resistance R_on.

High foward current transfer ratio h_FE

Allowing supply with the radial taping.

0.45⁺–0⁰.^.0¹5

2.5±0.5 2.5±0.5

Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

Note: In addition to the

lead type shown in

1:Emitter

2:Collector

the upper figure, the 3:Base

type as shown in

the lower figure is

also available.

MT1 Type Package

0.5

I_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

600

˚C

1.2±0.1

T_j

150

0.65

max.

T_stg

–55 ~ +150

0.1

0.45_–0.05

(HW type)

Electrical Characteristics (Ta=25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

Unit

Collector cutoff current

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

V_CB= 25V, I_E= 0

100

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C= 10µA, I_E= 0

_C= 1mA, I_B= 0

I_E= 10µA, I_C= 0

h_FE1

h_FE2

V_CE= 2V, I_C= 0.5A^*2

V_CE= 2V, I_C= 1A^*2

200

800

Forward current transfer ratio

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

I_C= 0.5A, I_B= 20mA

I_C= 0.5A, I_B= 50mA

V_CB= 10V, I_E= –50mA, f = 200MHz

V_CB= 10V, I_E= 0, f= 1MHz

0.13

0.4

1.2

Transition frequency

Collector output capacitance

ON resistanse

f_T

200

MHz

C_ob

R_on

1.0

Ω

^*2Pulse measurement

Measurement circuit

1kΩ

Rank classification

I_B=1mA

FE1

f=1kHz

V=0.3V

Rank

h_FE1

V_B

V_A

V_V

200 ~ 350

300 ~ 500

400 ~ 800

V_B

R_on=

✕1000(Ω)

V_A–V_B

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与2SD1996相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1996-HW	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1996R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SD1996S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SD1996T	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| SIP
2SD1997	SANYO	获取价格	Compact Motor Driver Applications
2SD1997	KEXIN	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1997	TYSEMI	获取价格	Contains diode between collector and emitter. Low saturation voltage.
2SD1998	KEXIN	获取价格	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1998	SANYO	获取价格	Compact Motor Driver Applications
2SD1998	TYSEMI	获取价格	Low saturation voltage. Contains diode between collector and emitter.

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