5秒后页面跳转
2SD2004P PDF预览

2SD2004P

更新时间: 2024-01-19 15:53:28
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 199K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP

2SD2004P 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):1.5 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):120
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1.2 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
标称过渡频率 (fT):80 MHz

2SD2004P 数据手册

 浏览型号2SD2004P的Datasheet PDF文件第2页 

与2SD2004P相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SD2004Q ETC TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP

获取价格

2SD2004T105 ROHM Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy

获取价格

2SD2004T105/N ROHM 1.5A, 160V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

获取价格

2SD2004T105/NP ROHM Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy

获取价格

2SD2004T105/NQ ROHM Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy

获取价格

2SD2004T105/P ROHM 1.5A, 160V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

获取价格