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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.56 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2005P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
|
| 2SD2005Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
|
| 2SD2005R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2A I(C) | SIP |
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| 2SD2005T105 | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105/P | ROHM |
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1A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2005T105/PQ | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105/PR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105/QR | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105/R | ROHM |
获取价格 |
1A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2005T105Q | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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