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2SD2007Q

更新时间: 2024-02-23 22:32:21
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其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 199K
描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | 2.5A I(C) | SIP

2SD2007Q 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.61Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):2.5 A配置:Single
最小直流电流增益 (hFE):180极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):1.2 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO标称过渡频率 (fT):100 MHz
Base Number Matches:1

2SD2007Q 数据手册

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