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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.75 |
| 风险等级： | 5.75 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 基于收集器的最大容量： | 30 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 32 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD2005T105/PR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105/QR | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105/R | ROHM |
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1A, 32V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR |
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| 2SD2005T105Q | ROHM |
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Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2005T105R | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 |
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| 2SD2006 | ROHM |
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1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE |
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| 2SD2006P | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP |
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| 2SD2006Q | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP |
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| 2SD2006R | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 1A I(C) | SIP |
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| 2SD2006T105 | ROHM |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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