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2SD2000

更新时间： 2024-11-20 06:17:47

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4页	106K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD2000 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD2000

DESCRIPTION

·With TO-220Fa package

·High-speed switching

·Large collector power dissipation

APPLICATIONS

·For power switching applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-220Fa) and symbol

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS AT Tc=25℃

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Base current

I_B

T_C=25℃

T_a=25℃

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

150

-55~150

℃

T_j

T_stg

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2000O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR
2SD2000P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR
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2SD2004	ROHM	获取价格	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SD2004N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SIP
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2SD2004T105/N	ROHM	获取价格	1.5A, 160V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR