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2SD2000

更新时间： 2024-10-13 22:35:55

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松下 - PANASONIC		晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
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3页	57K
描述
Silicon NPN triple diffusion planar type(For power switching)

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2SD2000 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	SC-67, TO-220F-A1, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.75
风险等级：	5.76	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	4 A	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Bismuth/Copper (Sn/Ag/Bi/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

2SD2000 数据手册

Power Transistors

2SD2000

Silicon NPN triple diffusion planar type

For power switching

Unit: mm

10.0±0.2

5.5±0.2

4.2±0.2

Features

High-speed switching

■

2.7±0.2

●

Satisfactory linearity of foward current transfer ratio h_FE

φ3.1±0.1

●

Large collector power dissipation P_C

●

Full-pack package which can be installed to the heat sink with

one screw

1.3±0.2

1.4±0.1

Absolute Maximum Ratings (T =25˚C)

■

+0.2

–0.1

0.5

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CP

Ratings

Unit

0.8±0.1

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Peak collector current

Collector current

2.54±0.25

5.08±0.5

1:Base

I_C

2:Collector

3:Emitter

TO–220 Full Pack Package(a)

Base current

I_B

Collector power T_C=25°C

P_C

dissipation

Ta=25°C

Junction temperature

Storage temperature

T_j

150

˚C

T_stg

–55 to +150

Electrical Characteristics (T =25˚C)

■

Parameter

Symbol

I_CBO

Conditions

min

typ

max

100

Unit

µA

Collector cutoff current

Emitter cutoff current

V_CB= 80V, I_E= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

_C= 25mA, I_B= 0

I_EBO

Collector to emitter voltage

V_CEO

h_FE1

V_CE= 4V, I_C= 1A

V_CE= 4V, I_C= 4A

250

Forward current transfer ratio

h_FE2

Base to emitter saturation voltage V_BE(sat)

Collector to emitter saturation voltage V_CE(sat)

_CE= 4V, I_C= 4A

2.0

1.5

I_C= 4A, I_B= 0.4A

Transition frequency

Turn-on time

Storage time

Fall time

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 12V, I_C= 0.2A, f = 10MHz

0.3

1.0

0.2

MHz

µs

I_C= 4A, I_B1= 0.4A, I_B2= – 0.4A,

µs

V_CC= 50V

µs

^*h_FE1Rank classification

Rank

h_FE1

70 to 150

120 to 250

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD2000O	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR
2SD2000P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR
2SD2000Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR
2SD2000R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 4A I(C) \| TO-127VAR
2SD2004	ROHM	获取价格	1.2W PACKAGE POWER TAPED TRANSISTOR DESIGNED FOR USE WITH AN AUTOMATIC PLACEMENT MECHINE
2SD2004N	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SIP
2SD2004P	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SIP
2SD2004Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 160V V(BR)CEO \| 1.5A I(C) \| SIP
2SD2004T105	ROHM	获取价格	Power Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy
2SD2004T105/N	ROHM	获取价格	1.5A, 160V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR

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