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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1995-SZ
2SD1995-SZ PDF预览

2SD1995-SZ

更新时间： 2024-11-27 13:00:23
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
2页 43K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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2SD1995-SZ 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：40 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：400
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SD1995-SZ 数据手册

 浏览型号2SD1995-SZ的Datasheet PDF文件第2页 
Transistor  
2SD1995  
Silicon NPN epitaxial planer type  
For low-frequency amplification  
Unit: mm  
6.9±0.1  
4.0  
2.5±0.1  
1.05  
±0.05  
(1.45)  
0.8  
0.7  
Features  
High foward current transfer ratio hFE  
■
●
.
●
●
●
Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
.
0.65 max.  
High emitter to base voltage VEBO  
.
Allowing supply with the radial taping.  
0.45+–00..015  
2.5±0.5 2.5±0.5  
Absolute Maximum Ratings (Ta=25˚C)  
■
1
2
3
Parameter  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
ICP  
Ratings  
Unit  
V
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
Peak collector current  
Collector current  
50  
40  
V
Note: In addition to the  
lead type shown in  
1:Emitter  
2:Collector  
15  
V
the upper figure, the 3:Base  
100  
mA  
mA  
mW  
˚C  
type as shown in  
the lower figure is  
also available.  
MT1 Type Package  
IC  
50  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
PC  
400  
Tj  
150  
Tstg  
–55 ~ +150  
˚C  
1.2±0.1  
0.65  
max.  
+
0.1  
0.45–0.05  
(HW type)  
Electrical Characteristics (Ta=25˚C)  
■
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
min  
typ  
max  
Unit  
nA  
µA  
V
V
CB = 20V, IE = 0  
100  
1
Collector cutoff current  
ICEO  
VCE = 20V, IB = 0  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Emitter to base voltage  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC = 10µA, IE = 0  
50  
40  
IC = 1mA, IB = 0  
V
IE = 10µA, IC = 0  
15  
V
*
Forward current transfer ratio  
hFE  
VCE = 10V, IC = 2mA  
400  
2000  
0.2  
Collector to emitter saturation voltage VCE(sat)  
IC = 10mA, IB = 1mA  
VCB = 10V, IE = –2mA, f = 200MHz  
VCE = 10V, IC = 1mA, GV = 80dB  
Rg = 100kΩ, Function = FLAT  
0.05  
200  
V
Transition frequency  
fT  
MHz  
Noise voltage  
NV  
80  
mV  
*hFE Rank classification  
Rank  
hFE  
R
S
T
400 ~ 800 600 ~ 1200 1000 ~ 2000  
1
12

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与2SD1995-SZ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1995T ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 40V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SIP
2SD1996 PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planer type(For low-voltage output amplification)
2SD1996-HW PANASONIC

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
2SD1996R ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SD1996S ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SD1996T ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 500MA I(C) | SIP
2SD1997 SANYO

获取价格

 		Compact Motor Driver Applications
2SD1997 KEXIN

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
2SD1997 TYSEMI

获取价格

 		Contains diode between collector and emitter. Low saturation voltage.
2SD1998 KEXIN

获取价格

 		NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor

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