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2SD1910

更新时间： 2024-11-27 06:26:35

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	97K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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2SD1910 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.6
Base Number Matches：	1

2SD1910 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

2SD1910

DESCRIPTION

·With TO-3PML package

·High breakdown voltage

·High speed switching

·Built-in damper diode

APPLICATIONS

·For use in TV horizontal output applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Collector

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3PML) and symbol

Absolute maximum ratings(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

CONDITIONS

Open emitter

VALUE

UNIT

Collector-base voltage

1500

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Open base

600

Open collector

I_CM

Collector current-peak

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_C=25℃

℃

T_j

150

-55~150

T_stg

12 3

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