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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大集电极电流 (IC)： | 2 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 1000 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 140 °C |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.2 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1915 | ETC |
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| 2SD1918 | ROHM |
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Power Transistor (160V , 1.5A) |
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| 2SD1918 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1918 | TYSEMI |
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High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) High transition frequency.(fT = 80MHZ) |
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| 2SD1918/N | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/NP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/NQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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