Datasheet > 晶体管 > 其他晶体管> 2SD1912

2SD1912

更新时间： 2024-01-11 23:54:23

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	234K
描述
Silicon NPN Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SD1912 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD1912

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V(Min)

·Wide Area of Safe Operation

·Low Collector Saturation Voltage

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Current-Peak

I_CM

Collector Power Dissipation

@T_a=25℃

1.75

P_C

Collector Power Dissipation

@T_C=25℃

Junction Temperature

Storage Temperature

150

-55~150

℃

T_J

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

中文翻译

下载PDF

与2SD1912相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1912Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD1912R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD1912S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220AB
2SD1913	SANYO	获取价格	60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications
2SD1913	ISC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1913	SAVANTIC	获取价格	Silicon NPN Power Transistors
2SD1913	FOSHAN	获取价格	TO-220F
2SD1913Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
2SD1913R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
2SD1913S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220