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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1913S | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
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| 2SD1914 | SANYO |
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NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS |
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| 2SD1915 | ETC |
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| 2SD1918 | ROHM |
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Power Transistor (160V , 1.5A) |
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| 2SD1918 | KEXIN |
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Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD1918 | TYSEMI |
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High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) High transition frequency.(fT = 80MHZ) |
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| 2SD1918/N | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/NP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/NQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/P | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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