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2SD1918_10

更新时间： 2024-11-23 07:31:35
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罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 144K
描述
Power Transistor (160V , 1.5A)

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2SD1918_10 数据手册

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Power Transistor (160V , 1.5A)  
2SD1918 / 2SD1857A  
Features  
Dimensions (Unit : mm)  
1) High breakdown voltage.(BVCEO=160V)  
2) Low collector output capacitance.  
(Typ. 20pF at VCB=10V)  
3) High transition frequency.(fT=80MHZ)  
4) Complements the 2SB1275.  
2SD1918  
5.5  
0.9  
1.5  
C0.5  
0.8Min.  
1.5  
Absolute maximum ratings (Ta = 25C)  
2.5  
9.5  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
160  
160  
5
Unit  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
V
1.5  
3
A(DC)  
A(Pulse)  
W
Collector current  
I
C
∗1  
∗2  
2SD1857A  
Collector  
1
power  
P
C
1
W
2SD1918  
dissipation  
2SD1857A  
10  
W(Tc=25°C)  
6.8  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
°C  
°C  
Tj  
2.5  
Tstg  
−55 ∼+150  
∗
∗
1
2
Pw=200msec duty=1/2  
Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger  
.
0.65Max.  
0.5  
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
Taping specifications  
Packaging specifications and hFE  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
Type  
2SD1918 2SD1857A  
ROHM : ATV  
Package  
CPT3  
QR  
−
ATV  
PQ  
hFE  
Marking  
Code  
−
TL  
TV2  
2500  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
Denotes hFE  
*
Electrical characteristics (Ta = 25C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
160  
160  
5
Typ.  
Max.  
−
Unit  
V
Conditions  
−
−
I
I
I
C
C
E
=
=
50μA  
−
V
1mA  
−
−
V
=
50μA  
I
CBO  
−
−
1
μA  
μA  
V
V
V
CB  
=
=
120V  
I
EBO  
−
−
1
EB  
4V  
Emitter cutoff current  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
−
−
2
I
I
C
/I  
B
=
1A/0.1A  
∗
∗
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
−
−
1.5  
390  
270  
−
V
C
/I  
B
= 1A/0.1A  
2SD1918  
120  
82  
−
−
−
DC current  
hFE  
V
CE/IC = 5V/0.1A  
transfer ratio  
−
−
2SD1857A  
f
T
80  
20  
MHz  
pF  
V
V
CE  
CB  
=
5V , I  
E
= −0.1A , f 30MHz  
=
Transition frequency  
Output capacitance  
Cob  
−
−
=
10V , I  
E
=
0A , f = 1MHz  
∗
Measured using pulse current.  
www.rohm.com  
2010.09 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2010 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1918_15 KEXIN

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