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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> 2SD1918TL/NP
2SD1918TL/NP PDF预览

2SD1918TL/NP

更新时间： 2024-11-23 13:04:23
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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2SD1918TL/NP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.63
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1.5 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：10 W
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN COPPER端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：80 MHzVCEsat-Max：1 V
Base Number Matches：1

2SD1918TL/NP 数据手册

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2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A  
Transistors  
Power Transistor (160V , 1.5A)  
2SD2211 / 2SD1918 / 2SD1857A  
zFeatures  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
1) High breakdown voltage.(BVCEO = 160V)  
2) Low collector output capacitance.  
(Typ. 20pF at VCB = 10V)  
2SD2211  
4.0  
2.5  
1.0  
0.5  
(
)
1
3) High transition frequency.(f  
T
= 80MH )  
Z
(
)
2
3
4) Complements the 2SB1275 / 2SB1236A.  
(
)
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
ROHM : MPT3  
EIAJ : SC-62  
zAbsolute maximum ratings (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Symbol  
Limits  
160  
160  
5
Unit  
2SD1918  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
V
V
V
5.5  
0.9  
1.5  
1.5  
3
A(DC)  
A(Pulse)  
W
Collector current  
I
C
∗1  
∗2  
C0.5  
2SD1857A  
1
0.5  
2
W
Collector  
2SD2211  
0.8Min.  
1.5  
PC  
W
∗3  
power  
2.5  
dissipation  
2SD1918  
1
W
9.5  
10  
W(Tc=25°C)  
(1) Base(Gate)  
(2) Collector(Drain)  
(3) Emitter(Source)  
Junction temperature  
Storage temperature  
150  
°C  
°C  
Tj  
ROHM : CPT3  
EIAJ : SC-63  
Tstg  
−55 ∼+150  
∗
∗
∗
1
2
3
Pw=200msec duty=1/2  
Printed circuit board 1.7mm thick, collector plating 1cm2 or larger  
When mounted on a 40 x 40 x 0.7mm ceramic board.  
.
2SD1857A  
6.8  
2.5  
0.65Max.  
0.5  
zPackaging specifications and hFE  
( )  
( ) ( )  
1
2 3  
Type  
2SD2211  
2SD1918 2SD1857A  
2.54 2.54  
1.05  
0.45  
Package  
MPT3  
QR  
CPT3  
QR  
−
ATV  
PQ  
Taping specifications  
hFE  
(1) Emitter  
(2) Collector  
(3) Base  
Marking  
Code  
DQ*  
−
ROHM : ATV  
T100  
1000  
TL  
TV2  
2500  
Basic ordering unit (pieces)  
2500  
Denotes hFE  
*
zElectrical characteristics (Ta = 25°C)  
Parameter  
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cutoff current  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
Min.  
Typ.  
−
Max.  
−
Unit  
Conditions  
160  
160  
5
V
V
I
I
I
C
C
E
=
=
50µA  
1mA  
−
−
−
−
V
=
50µA  
I
CBO  
−
−
1
µA  
µA  
V
V
V
CB  
=
=
120V  
4V  
I
EBO  
−
−
1
EB  
Emitter cutoff current  
V
CE(sat)  
BE(sat)  
−
−
2
I
I
C/I  
B
=
1A/0.1A  
∗
∗
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter saturation voltage  
V
−
−
1.5  
390  
270  
−
V
C/I  
B
= 1A/0.1A  
2SD2211,2SD1918  
2SD1857A  
120  
82  
−
−
−
DC current  
transfer ratio  
hFE  
V
CE/IC = 5V/0.1A  
−
−
f
T
80  
20  
MHz  
pF  
V
CE  
CB  
=
5V , I  
E
= −0.1A , f 30MHz  
=
Transition frequency  
Output capacitance  
Cob  
−
−
V
=
10V , I  
E
=
0A , f = 1MHz  
∗
Measured using pulse current.  
Rev.A  
1/3  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1918TL/NQ ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1918TL/PQ ROHM

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 		暂无描述
2SD1918TL/Q ROHM

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 		1500mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CPT3, SC-63, 3 PIN
2SD1918TLQ ROHM

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 		Power Transistor (160V , 1.5A)
2SD1918TLR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS C
2SD1918TR/N ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1919 ROHM

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 		Medium Power Transistor 32V, 2A
2SD1919P ROHM

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 		Transistor

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