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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 160 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1918/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918_09 | ROHM |
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Power Transistor (160V , 1.5A) |
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| 2SD1918_10 | ROHM |
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Power Transistor (160V , 1.5A) |
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| 2SD1918_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SD1918F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252 |
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| 2SD1918F5/NP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5/NQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5/PQ | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5/Q | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5N | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252 |
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