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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 82 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 10 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 10 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1918/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918_09 | ROHM |
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Power Transistor (160V , 1.5A) |
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| 2SD1918_10 | ROHM |
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Power Transistor (160V , 1.5A) |
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| 2SD1918_15 | KEXIN |
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NPN Transistors |
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| 2SD1918F5 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 160V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-252 |
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| 2SD1918F5/NP | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5/NQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5/PQ | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| 2SD1918F5/Q | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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