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2SD1913

更新时间： 2024-02-28 03:41:30
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 放大器功率放大器
页数 文件大小 规格书
4页 38K
描述
60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications

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2SD1913 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220ML包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
风险等级：5.81Is Samacsys：N
其他特性：HIGH RELIABILITY外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：3 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：20
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：20 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2SD1913 数据手册

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Ordering number : ENN2246B  
PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors  
2SB1274/2SD1913  
60V/3A Low-Frequency  
Power Amplifier Applications  
Applications  
Package Dimensions  
unit : mm  
•
General power amplifier.  
2041A  
[2SB1274/2SD1913]  
4.5  
10.0  
2.8  
Features  
3.2  
• Wide ASO (Adoption of MBIT process).  
•
Low saturation voltage.  
• High reliability.  
• High breakdown voltage.  
• Micaless package facilitating mounting.  
2.4  
1.6  
1.2  
0.7  
0.75  
1
2
3
1 : Base  
2 : Collector  
3 : Emitter  
2.55  
2.55  
Specifications  
( ):2SB1274  
2.55  
2.55  
SANYO : TO-220ML  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Collector-to-Base Voltage  
Collector-to-Emitter Voltage  
Emitter-to-Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
(−)60  
(−)60  
(−)6  
(−)3  
(−)8  
2
V
V
V
I
A
C
Collector Current (Pulse)  
I
A
CP  
W
W
°C  
°C  
Collector Dissipation  
P
C
Tc=25°C  
20  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
Tstg  
150  
−55 to +150  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=(--)40V, I =0  
Unit  
min  
max  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
I
V
V
(--)100  
(--)100  
µA  
µA  
CBO  
CB  
E
I
=(--)4V, I =0  
C
EBO  
EB  
Continued on next page.  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
D2000 TS IM 8-2055 No.2246-1/4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SD1913Q ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220
2SD1913R ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220
2SD1913S ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220
2SD1914 SANYO

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 		NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS
2SD1915 ETC

获取价格
2SD1918 ROHM

获取价格

 		Power Transistor (160V , 1.5A)
2SD1918 KEXIN

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 		Silicon NPN Epitaxial
2SD1918 TYSEMI

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 		High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) High transition frequency.(fT = 80MHZ)
2SD1918/N ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1918/NP ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

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