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2SD1913

更新时间： 2024-11-20 17:15:39

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2SD1913 数据手册

2SD1913

Rev.F Mar.-2016

DATA SHEET

描述 / Descriptions

TO-220F 塑封封装 NPN 半导体三极管。Silicon NPN transistor in a TO-220F Plastic Package.

特征 / Features

宽阔的安全工作区，饱和压降低，击穿电压高。

Wide ASO, low saturation voltage, high breakdown voltage.

用途 / Applications

用于低频放大。

Low frequency power amplifier.

内部等效电路 / Equivalent Circuit

引脚排列 / Pinning

PIN1：Base

PIN 2：Collector

PIN 3：Emitter

放大及印章代码 / h_FEClassifications & Marking

h_FEClassifications

Symbol

h_FERange

70～140

100～200

140～280

http://www.fsbrec.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SD1913Q	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
2SD1913R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
2SD1913S	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 60V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-220
2SD1914	SANYO	获取价格	NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DRIVER APPLICATIONS
2SD1915	ETC	获取价格
2SD1918	ROHM	获取价格	Power Transistor (160V , 1.5A)
2SD1918	KEXIN	获取价格	Silicon NPN Epitaxial
2SD1918	TYSEMI	获取价格	High breakdown voltage.(BVCEO = 160V) High transition frequency.(fT = 80MHZ)
2SD1918/N	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
2SD1918/NP	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,