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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.92 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 3 A | 集电极-发射极最大电压： | 60 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 30 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| VCEsat-Max： | 1 V |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1912Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD1912R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD1912S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220AB |
|
| 2SD1913 | SANYO |
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60V/3A Low-Frequency Power Amplifier Applications |
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| 2SD1913 | ISC |
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Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1913 | SAVANTIC |
获取价格 |
Silicon NPN Power Transistors |
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| 2SD1913 | FOSHAN |
获取价格 |
TO-220F |
|
| 2SD1913Q | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
|
| 2SD1913R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
|
| 2SD1913S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-220 |
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