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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3PML | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.86 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 6 A | 配置： | Single |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 8 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 140 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 标称过渡频率 (fT)： | 3 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD1658 | TOSHIBA |
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NPN EPITAXIAL TYPE (MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE, SWITCHING, POWER AMPLIFIER APPLICATI |
|
| 2SD1658_07 | TOSHIBA |
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Silicon NPN Epitaxial Type (Darlington Power Transistor) |
|
| 2SD1658_09 | TOSHIBA |
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Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications |
|
| 2SD1660M | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 60V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
|
| 2SD1660MA | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1660MC2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1660MC2A | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1660MC2C | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD1661M | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 50V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | SIP |
|
| 2SD1661MA | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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